삼성전자가 기존 제품 대비 2배 이상의 성능을 구현한 업계 최고 수준의 고용량·고성능 차세대 메모리 DDR5 개발에 성공했다.

이에 따라 기존 금선을 이용해 칩을 연결하는 와이어 본딩 기술보다 속도와 소비전력도 끌어올릴 수 있다.

삼성전자는 2014년 세계 최초로 범용 D램인 DDR4 메모리에 4단 TSV 공정을 적용해 64GB에서 256GB까지 고용량 모듈 제품을 서버 시장에 선보인 바 있다.